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新闻快讯

超高纯铝靶材项目申请指南发布

2009-07-23

  据国家科技部消息,物理气相沉积(pvd)是半导体芯片和tft-lcd生产过程中最关键的工艺之一,pvd用溅射金属靶材是半导体芯片生产及tft-lcd制备加工过程中最重要的原材料之一,溅射金属靶材中用量最大的是超高纯铝和超高纯净铝合金靶材。

  由此可见,研发具有自主知识产权的大尺寸超高纯铝靶材的制造关键技术,开发出满足半导体行业及tft-lcd产业需求的超高纯铝靶材产品,对于我国相关产业的发展具有重要意义。

  为公正、公平、公开地选择项目承担单位,充分调动相关企业、科研院所及高等院校的积极性,集成全国在铝的精炼提纯、大尺寸铝板形变加工及溅射金属靶材专业制备等领域的优势研发力量开展本项目的工作,科技部发布了《国家高技术研究发展计划(863计划)新材料技术领域“大尺寸超高纯铝靶材的制造技术”重点项目申请指南》。